dfbf

800nm ​​APD

800nm ​​APD

Modèl: GD5210Y-1-2-TO46/ GD5210Y-1-5-TO46/ GD5210Y-1-2-LCC3/ GD5210Y-1-5-LCC3

Deskripsyon kout:

Li se Si fotodiode lavalas ki bay gwo sansiblite sòti nan UV ak NIR.Longèdonn repons pik la se 800nm.


  • f614effe
  • 6dac49b1
  • 46bbb79b
  • 374a78c3

Paramèt teknik

Tags pwodwi

Karakteristik

  • Frontside eklere plat chip
  • Repons gwo vitès
  • Segondè APD genyen
  • Ki ba kapasite junction
  • Ti bri

Aplikasyon

  • Lazè sòti
  • Lazè rada
  • Avètisman lazè

Paramèt foto-elektrik@Ta=22±3℃

Atik #

Kategori pake

Dyamèt sifas fotosansib (mm)

Gamme repons espèk (nm)

 

 

Pik longèdonn repons

Respèbilite

λ = 800nm

φe = 1μW

M = 100

(A/W)

Tan repons

λ = 800nm

RL= 50Ω

(ns)

Kouran nwa

M = 100

(nA)

Koefisyan Tanperati

Ta = -40℃ ~ 85℃

(V/℃)

 

Kapasite total

M = 100

f = 1MHz

(pF)

 

Pann vòltaj

IR= 10μA

(V)

Typ.

Max.

Min

Max

GD5210Y-1-2-TO46

POU-46

0.23

 

 

 

400~1100

 

 

 

 

800

 

55

 

 

 

 

0.3

0.05

0.2

0.5

1.5

80

160

GD5210Y-1-5-TO46

POU-46

0.50

0.10

0.4

3.0

GD5210Y-1-2-LCC3

LCC3

0.23

0.05

0.2

1.5

GD5210Y-1-5-LCC3

LCC3

0.50

0.10

0.4

3.0


  • Previous:
  • Pwochen: