LASER ETA SOLID

LASER ETA SOLID

  • 1570nm OPO Lazè-10mJ-20

    1570nm OPO Lazè-10mJ-20

    Li se yon lazè OPO ki an sekirite ak pasif Q-chanje ak longèdonn 1570nm,1~20hz (reglabl)pulserepetisyonrmanjeepi10mrad dang ivèjans.Anplis de sa, li se yon lazè ti ak limyè ki ka ideyal sous limyè nan long distans ki sòti nansegondèfrekans (20Hz).

  • 1570nm OPO Lazè-80mJ-20

    1570nm OPO Lazè-80mJ-20

    Li se yon elektwo-optik Q-chanje OPO lazè ak sistèm kontwòl sikwi kondwi andedan, 1570nm longèdonn, 1 ~ 20hz (reglabl) vitès repetisyon batman kè, ≥80mJ pik pouvwa, ak ≤6mrad ang divergence.Anplis de sa, li se yon ti lazè ak limyè ki ka ideyal sous limyè long distans ki varye nan frekans segondè (20Hz) ak teknoloji kontremedi fotoelektrik.

  • 1535nm Erbium Glass Lazè -100

    1535nm Erbium Glass Lazè -100

     Enèji batman kè (Min./Typ.):132 μJ / 134 μJ

    Pousantaj repetisyon batman kè:1 ~ 20 Hz

    Divèjans gwo bout bwa:<10 mrad

    Pwa:6g

    GT-1535-100 entegre ak vè lazè Erbium ak sous ponp semi-conducteurs devlope pa Erbium Tech ak dwa endepandan pwopriyete entelektyèl li yo.

    Li se lazè ki san danje pou je ak longèdonn emisyon san danje nan 1535nm nan fenèt atmosferik ak bon jan kalite gwo bout bwa nan batman lazè, ki apwopriye pou lazè ki san danje pou je.

  • 1535nm Erbium Glass Lazè -200

    1535nm Erbium Glass Lazè -200

    Enèji batman kè (Min./Typ.):200 μJ / 240 μJ

    Pousantaj repetisyon batman kè:1 ~ 10 Hz

    Divèjans gwo bout bwa:<10 mrad

    Pwa:6g

    GT-1535-200 entegre ak vè lazè Erbium ak sous ponp semiconductor devlope pa Erbium Tech ak dwa endepandan pwopriyete entelektyèl li yo.

    Li se lazè ki san danje pou je ak longèdonn emisyon san danje nan 1535nm nan fenèt atmosferik ak bon jan kalite gwo bout bwa nan batman lazè, ki apwopriye pou lazè ki san danje pou je.

  • 1535nm Erbium Glass Lazè-300

    1535nm Erbium Glass Lazè-300

     Enèji batman kè (Min./Typ.):300 μJ / 320 μJ

    Pousantaj repetisyon batman kè:1 ~ 20 Hz

    Divèjans gwo bout bwa:<10 mrad

    Pwa:6g

    GT-1535-300 entegre ak vè lazè Erbium ak sous ponp semiconductor devlope pa Erbium Tech ak dwa endepandan pwopriyete entelektyèl li yo.

    Li se lazè ki san danje pou je ak longèdonn emisyon san danje nan 1535nm nan fenèt atmosferik ak bon jan kalite gwo bout bwa nan batman lazè, ki apwopriye pou lazè ki san danje pou je.

  • 1535nm Erbium Glass Lazè- 400

    1535nm Erbium Glass Lazè- 400

    Enèji batman kè (Min./Typ.):400 μJ / 420 μJ

    Pousantaj repetisyon batman kè:1 ~ 20 Hz

    Divèjans gwo bout bwa:<10 mrad

    Pwa:10g

    GT-1535-400 entegre ak vè lazè Erbium ak sous ponp semiconductor devlope pa Erbium Tech ak dwa endepandan pwopriyete entelektyèl li yo.

    Li se lazè ki san danje pou je ak longèdonn emisyon san danje nan 1535nm nan fenèt atmosferik ak bon jan kalite gwo bout bwa nan batman lazè, ki apwopriye pou lazè ki san danje pou je.

     

  • 1535nm Erbium Glass Lazè -500

    1535nm Erbium Glass Lazè -500

    Enèji batman kè (Min./Typ.):480 μJ / 510 μJ

    Pousantaj repetisyon batman kè:1 ~ 10 Hz

    Divèjans gwo bout bwa:<10 mrad

    Pwa:12g

    GT-1535-500 entegre ak vè lazè Erbium ak sous ponp semiconductor devlope pa Erbium Tech ak dwa endepandan pwopriyete entelektyèl li yo.

    Li se lazè ki san danje pou je ak longèdonn emisyon san danje nan 1535nm nan fenèt atmosferik ak bon jan kalite gwo bout bwa nan batman lazè, ki apwopriye pou lazè ki san danje pou je.

  • 1535nm Erbium Glass Lazè-45μJ

    1535nm Erbium Glass Lazè-45μJ

    Enèji batman kè (Min./Typ.):44μJ / 45 μJ

    Pousantaj repetisyon batman kè:1kHz

    Divèjans gwo bout bwa:<15 mrad

    Pwa:7g

    GT-1535-45 entegre ak vè lazè Erbium ak sous ponp semiconductor devlope pa Erbium Tech ak dwa endepandan pwopriyete entelektyèl li yo.

    Li se lazè ki san danje pou je ak longèdonn emisyon san danje nan 1535nm nan fenèt atmosferik ak bon jan kalite gwo bout bwa nan batman lazè, ki apwopriye pou lazè ki san danje pou je.

     

  • 1535nm Erbium Glass Lazè-2mJ

    1535nm Erbium Glass Lazè-2mJ

     Enèji batman kè (Min./Typ.):2mJ / 2.5mJ

    Pousantaj repetisyon batman kè:5Hz

    Divèjans gwo bout bwa:4mrad

    Pwa:120g

    GT-1535-2MJ entegre ak vè lazè Erbium ak sous ponp semi-conducteurs devlope pa Erbium Tech ak dwa endepandan pwopriyete entelektyèl li yo.

    Li se lazè ki san danje pou je ak longèdonn emisyon san danje nan 1535nm nan fenèt atmosferik ak bon jan kalite gwo bout bwa nan batman lazè, ki apwopriye pou lazè ki san danje pou je.

  • 355nm UV lazè-50W

    355nm UV lazè-50W

    Pasivman Q-chanjman Pulse UV lazè

     Repete pousantaj reglabl

     Kontwole ekstèn 

    Fasil itilizasyon ak antretyen gratis

    Longlife operasyon

    Segondè efikasite

    Segondè fyab

  • 473nm limyè ble lazè-200

    473nm limyè ble lazè-200

    Gwosè kontra enfòmèl ant

    Kolimate gwo bout bwa dwat

    Konsantre reglabl

    Fasil itilizasyon ak antretyen gratis

    Longlife operasyon

    Segondè efikasite

    Segondè fyab

  • 473nm limyè ble lazè-600

    473nm limyè ble lazè-600

    Jiska 600mW gwo pouvwa lazè ble

    Fasil itilizasyon ak antretyen gratis

    Longlife operasyon

    Segondè efikasite

    Segondè fyab