1064nmAPD seri tib sèl

Karakteristik fotoelektrik (＠Ta＝22±3℃)

Modèl

GD5210Y-3-500

GD5210Y-3-800

GD5211Y

Fòm pake

POU-46

POU-46

POU-52

Dyamèt sifas fotosensib (mm)

0.5

0.8

0.8

Ranje repons espektal (nm)

400 ~ 1100

400 ~ 1100

400 ~ 1100

Pik longèdonn repons (nm)

980

980

980

Reyaksyon

λ = 905nm Φ = 1μW

M = 100

58

58

58

λ=1064nm Φ=1μW

M = 100

36

36

36

Kouran nwa

M = 100 (nA)

Tipik

2

4

10

Maksimòm

20

20

20

Tan repons λ=800nm ​​R1=50Ω(ns)

2

3

3.5

Tanperati vòltaj travay koyefisyan T = -40 ℃ ~ 85 ℃ (V / ℃)

2.2

2.2

2.2

Kapasite total M = 100 f = 1MHz (pF)

1.0

1.5

3.5

Pann vòltaj

IR = 10μA (V)

Minimòm

220

220

350

Maksimòm

580

580

500