800nm APD
Karakteristik
- Frontside eklere plat chip
- Repons gwo vitès
- Segondè APD genyen
- Ki ba kapasite junction
- Ti bri
Aplikasyon
- Lazè sòti
- Lazè rada
- Avètisman lazè
Paramèt foto-elektrik（@Ta=22±3℃）
| Atik # | Kategori pake | Dyamèt sifas fotosansib (mm) | Gamme repons espèk (nm) |
Pik longèdonn repons | Respèbilite λ = 800nm φe = 1μW M = 100 (A/W) | Tan repons λ = 800nm RL= 50Ω （ns） | Kouran nwa M = 100 (nA) | Koefisyan Tanperati Ta = -40℃ ~ 85℃ （V/℃）
| Kapasite total M = 100 f = 1MHz （pF）
| Pann vòltaj IR= 10μA （V） | ||
| Typ. | Max. | Min | Max | |||||||||
| GD5210Y-1-2-TO46 | POU-46 | 0.23 |
400～1100
|
800 |
55
|
0.3 | 0.05 | 0.2 | 0.5 | 1.5 | 80 | 160 |
| GD5210Y-1-5-TO46 | POU-46 | 0.50 | 0.10 | 0.4 | 3.0 | |||||||
| GD5210Y-1-2-LCC3 | LCC3 | 0.23 | 0.05 | 0.2 | 1.5 | |||||||
| GD5210Y-1-5-LCC3 | LCC3 | 0.50 | 0.10 | 0.4 | 3.0 | |||||||
