Kat kadran Si PIN

Modèl: GT111/GT112/GD3250Y/GD3249Y/GD3244Y/GD3245Y/GD32413Y/GD32414Y/GD32415Y

Deskripsyon kout:

Li konsiste de kat menm inite nan fotodyode Si PIN ki opere anba ranvèse epi li bay gwo sansiblite sòti nan UV ak NIR.Longèdonn repons pik la se 980nm.Respè: 0.5 A/W nan 1064 nm.

jwenn quote Telechaje

Paramèt teknik

Tags pwodwi

Karakteristik

Ba kouran nwa
Segondè repons
Bon konsistans kadran
Ti zòn avèg

Aplikasyon

Gid lazè, vize, ak swiv
Pou aparèy eksplorasyon
Lazè mikwo pwezante, siveyans deplasman ak sistèm mezi egzak

Paramèt fotoelektrik（@Ta=25℃）

Atik #	Kategori pake	Dyamèt nan sifas fotosansib (mm)	Gamme repons spectral (nm)	pik longèdonn repons	Respèbilite λ = 1064nm (kV/W)	Kouran nwa (nA)	Tan k ap monte λ = 1064nm R_L=50Ω(ns)	Kapasite Junction f = 1MHz (pF)	Pann vòltaj （V）
GT111	POU-8	Ф4	400～1100	980	0.3	5(V_R= 40V)	15(V_R= 40V)	5(V_R= 10V)	100
GT112		Ф6				7(V_R= 40V)	20(V_R= 40V)	7(V_R= 10V)
GD3250Y		Ф8				10(V_R= 40V)	25(V_R= 40V)	10(V_R= 10V)
GD3249Y	POU-20	Ф10				15(V_R= 40V)	30(V_R= 40V)	15(V_R= 10V)
GD3244Y	TO-31-7	Ф10			0.4	20(V_R= 135V)	20(V_R= 135V)	10(V_R= 135V)	300
GD3245Y	TO-31-7	Ф16				50(V_R= 135V)	30(V_R= 135V)	20(V_R= 135V)
GD32413Y	MBCY026-P6	Ф14				40(V_R= 135V)	25(V_R= 135V)	16(V_R= 135V)
GD32414Y	POU-8	Ф5.3	400～1150		0.5	4.8 (V_R= 140V)	15(V_R= 140V)	4.2 (V_R= 140V)	≥300
GD32415Y	MBCY026-W7W	Ф11.3	400～1150		0.5	≤20(V_R= 180V)	20(V_R= 180V)	10(V_R= 180V)	≥300