800nmAPD seri tib sèl

Modèl: GD5210Y-1-2-T046 / GD5210Y-1-5-T046 / GD5210Y-1-2-LCC3 / GD5210Y-1-5 -LCC3

Aparèy la se yon fotodyode Silisyòm lavalas, repons espèk la varye ant limyè vizib jiska tou pre-enfrawouj, ak longèdonn repons pik la se 800nm.

jwenn quote Telechaje

Paramèt teknik

Karakteristik fotoelektrik (＠Ta＝22±3℃)
Modèl		GD5210Y-1-2-T046	GD5210Y-1-5-T046	GD5210Y-1-2-LCC3	GD5210Y-1-5 -LCC3
Fòm pake		POU-46	POU-46	LCC3	LCC3
Dyamèt sifas fotosensib (mm)		0.23	0.50	0.23	0.50
Ranje repons espektal (nm)		400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100
Pik longèdonn repons (nm)		800	800	800	800
λ=800nm Φ=1μW M=100(A/W)		55	55	55	55
Kouran nwa	Tipik	0.05	0.10	0.05	0.10
M = 100 (nA)	Maksimòm	0.2	0.4	0.2	0.4
Tan repons λ=800nm R1=50Ω(ns)		0.3	0.3	0.3	0.3
Tanperati vòltaj travay koyefisyan T = -40 ℃ ~ 85 ℃ (V / ℃)		0.5	0.5	0.5	0.5
Kapasite total M = 100 f = 1MHz (pF)		1.5	3.0	1.5	3.0
Pann vòltaj IR = 10μA (V)	Minimòm	80	80	80	80
Pann vòltaj IR = 10μA (V)	Maksimòm	160	160	160	160

Previous: 355nm APD seri tib sèl

Pwochen: 905nmAPD seri tib sèl

Estrikti Chip Avyon devan

Repons gwo vitès

Gwo benefis

Ki ba kapasite junction

Ti bri

Lazè sòti

Lidar

Avètisman lazè