905nmAPD seri tib sèl

Modèl: GD5210Y-2-2-T046 / GD5210Y-2-5-T046 / GD5210Y-2-8-T046 / GD5210Y-2-2-LCC3 / GD5210Y-2-5-LCC3 / GD5210Y-2-2-P GD5210Y-2-5-P

Aparèy la se yon fotodyode Silisyòm lavalas, repons espektral la varye ant limyè vizib rive tou pre-enfrawouj, ak longèdonn repons pik la se 905nm.

jwenn quote Telechaje

Paramèt teknik

Karakteristik fotoelektrik (＠Ta＝22±3℃)
Modèl		GD5210Y-2-2-T046	GD5210Y-2-5-T046	GD5210Y-2-8-T046	GD5210Y-2-2-LCC3	GD5210Y-2-5-LCC3	GD5210Y-2-2-P	GD5210Y-2-5-P	Etalaj
Fòm pake		POU-46	POU-46	POU-46	LCC3	LCC3	anbalaj plastik	anbalaj plastik	PCB
Dyamèt sifas fotosensib (mm)		0.23	0.50	0.80	0.23	0.50	0.23	0.50	Customized
Ranje repons espektal (nm)		400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100
Pik longèdonn repons (nm)		905	905	905	905	905	905	905	905
Reyaksyon λ=905nm Φ=1μW M=100 (A/W)		55	55	55	55	55	55	55	55
Kouran nwa M = 100 (nA)	Tipik	0.2	0.4	0.8	0.2	0.4	0.2	0.4	Dapre fotosansibilite
Kouran nwa M = 100 (nA)	Maksimòm	1.0	1.0	2.0	1.0	1.0	1.0	1.0	Yon bò
Tan repons λ=905nm R1=50Ω(ns)		0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	Dapre sifas fotosensib
Tanperati vòltaj travay koyefisyan T = -40 ℃ ~ 85 ℃ (V / ℃)		0.9	0.9	0.9	0.9	0.9	0.9	0.9	0.9
Kapasite total M = 100 f = 1 MHz (pF)		1.0	1.2	2.0	1.0	1.2	1.0	1.2	Dapre sifas fotosensib
vòltaj pann IR = 10μA (V)	Minimòm	130	130	130	130	130	130	130	160
vòltaj pann IR = 10μA (V)	Maksimòm	220	220	220	220	220	220	220	200

Previous: 800nmAPD seri tib sèl

Pwochen: 1064nmAPD seri tib sèl

Estrikti Chip Avyon devan

Repons gwo vitès

Gwo benefis

Ki ba kapasite junction

Ti bri

Ka gwosè etalaj ak sifas fotosensib dwe Customized

Lazè sòti

Lidar

Avètisman lazè